特許
J-GLOBAL ID：200903017441796043
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-158570
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256240
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 一般的な組成のエッチングガスばかりでなく、フルオロカ-ボン系ガスを含まないエッチングガスを用いるドライエッチングにより、層間絶縁膜に接続孔を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、エッチングガスを用いるドライエッチングにより、層間絶縁膜に、接続孔を形成する工程を有する半導体装置の製造方法に関するものである。低誘電率膜12は、化学構造式中にSiF結合又はCF結合を有する化合物からなる絶縁膜である。具体的には、SiOF、環状フッ素樹脂シロキサン共重合体、ポリフルオロアリールエーテルなどを用いることができる。これらの絶縁膜を用いることにより、エッチング中に層間絶縁膜の接続孔14内から放出されるF、又はフルオロカーボン系の分子の活性種が、接続孔14内の絶縁膜のエッチングを増速させることができる。
請求項（抜粋）：
エッチングガスを用いるドライエッチングにより、化学構造式中にSiF結合又はCF結合を有する化合物からなる層間絶縁膜に、接続孔を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/768
H01L 21/302 F
, H01L 21/90 K
