特許
J-GLOBAL ID：200903053296348548

含F材料を含む被エッチング材をエッチングするエッチング方法

発明者：
門村 新吾

門村 新吾 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263687
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124910
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【構成】 含F材料を含む部分であるSiOF膜等を有する被エッチング材(半導体ウエハー等)をエッチングするためのエッチングガスとして、Fを捕捉するガス成分を含むエッチングガスを用いるとともに、含F材料4であるSiOF膜等を有する被エッチング材をエッチングする際、含F材料4をエッチングする時のみ、Fを捕捉するガス(H2 ,CO,H2 S等)の添加量を増やす。【効果】 本発明によれば、含F材料(SiOF等)を含む部分を有する被エッチング剤をエッチングする場合も、含F材料から放出されるFの影響を防止でき、よって寸法変換差を小さくでき、かつボウイング形状などの生じない良好な加工形状でエッチングを実現できる。
請求項（抜粋）：
含F材料を含む部分を有する被エッチング材をエッチングするためのエッチング方法であって、エッチングガス成分中のFを捕捉するガス成分の量を被エッチング部により制御する構成としたことを特徴とするエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C01B 33/10 ,  C23F 4/00
引用特許：
審査官引用 (4件)
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