特許
J-GLOBAL ID:200903017448690763

透明導電膜の形成方法及び透明電極

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 東田 潔 ,  山下 雅昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-418897
公開番号(公開出願番号):特開2005-183054
出願日: 2003年12月17日
公開日(公表日): 2005年07月07日
要約:
【課題】低温焼成で、低抵抗かつ高透過率を有する透明導電膜の形成方法及び透明電極の提供。【解決手段】インジウム、錫、アンチモン、アルミニウム及び亜鉛から選ばれた金属の微粒子、これらの金属の2種以上の金属からなる合金の微粒子、又はこれら微粒子の混合物を含有する分散液を基材に塗布後、真空雰囲気、不活性ガス雰囲気、還元性雰囲気中で焼成し、その後、酸化性雰囲気中で焼成する。この酸化性雰囲気中での焼成後、さらに還元性雰囲気で焼成してもよい。不活性ガス雰囲気が、希ガス、二酸化炭素及び窒素から選ばれたガスの雰囲気であり、還元性雰囲気が、水素、一酸化炭素及び低級アルコールから選ばれたガスの雰囲気である。上記方法により形成された透明導電膜からなる透明電極。【選択図】なし
請求項(抜粋):
インジウム、錫、アンチモン、アルミニウム及び亜鉛から選ばれた少なくとも1種の金属の微粒子、これらの金属から選ばれた2種以上の金属からなる合金の少なくとも1種の微粒子、又はこれらの微粒子の混合物を含有する分散液を基材に塗布後、金属や合金が酸化しない雰囲気中で焼成し、その後、酸化性雰囲気中で焼成して、透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。
IPC (4件):
H01B13/00 ,  B05D3/02 ,  B05D5/12 ,  G02F1/1343
FI (4件):
H01B13/00 503B ,  B05D3/02 Z ,  B05D5/12 B ,  G02F1/1343
Fターム (31件):
2H092HA03 ,  2H092MA10 ,  2H092MA25 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  4D075BB28Z ,  4D075BB56Z ,  4D075BB68Z ,  4D075BB69Z ,  4D075CA22 ,  4D075CB06 ,  4D075DA04 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB33 ,  4D075DB37 ,  4D075DB39 ,  4D075DB43 ,  4D075DB46 ,  4D075DB47 ,  4D075DB48 ,  4D075DB63 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EA10 ,  4D075EC10 ,  5G323BA01 ,  5G323BB02 ,  5G323BC01
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
  • 透明導電膜の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-049634   出願人:富士写真フイルム株式会社
  • 特開平2-234309
  • 特開平2-234309

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