透明導電膜の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-049634
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249131
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】金属のナノ粒子を用い、塗布により、比抵抗値が低く、且つ光透過率の高い透明導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】金属ナノ粒子を含有する塗布液を、基板上に塗布して塗布層を形成する塗布工程と、該塗布層を乾燥する乾燥工程と、前記塗布層を焼成して透明導電膜とする焼成工程とを含み、前記塗布工程、前記乾燥工程および前記焼成工程のいずれかの工程で、前記金属ナノ粒子の金属が酸化されて金属酸化物となることを特徴とする透明導電膜の製造方法である。

請求項（抜粋）：

金属ナノ粒子を含有する塗布液を、基板上に塗布して塗布層を形成する塗布工程と、該塗布層を乾燥する乾燥工程と、前記塗布層を焼成して透明導電膜とする焼成工程とを含み、前記塗布工程、前記乾燥工程および前記焼成工程のいずれかの工程で、前記金属ナノ粒子の金属が酸化されて金属酸化物となることを特徴とする透明導電膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01B 13/00 503 , C01B 13/32 , C01G 19/00 , C01G 30/00

FI (4件)：

H01B 13/00 503 B , C01B 13/32 , C01G 19/00 A , C01G 30/00

Fターム (18件)：

4G042DA01 , 4G042DA02 , 4G042DB08 , 4G042DC01 , 4G042DD02 , 4G042DD04 , 4G042DE03 , 4G042DE04 , 4G042DE14 , 4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AC04 , 4G048AD02 , 4G048AE06 , 5G323BA01 , 5G323BB01 , 5G323BB02 , 5G323BC01

引用特許：

審査官引用 (7件)

導電性金属酸化物に基づく層
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-043007 出願人：アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
透明導電膜および表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-182874 出願人：住友大阪セメント株式会社
低抵抗透明導電膜の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-050299 出願人：株式会社アルバック

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