特許
J-GLOBAL ID：200903017453218061

試験用半導体装置の評価方法

発明者：
高橋 安治

高橋 安治 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-265777
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115979
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 試験用半導体装置に形成される配線の良否を評価するための評価方法に関し、特に配線の断線箇所または短絡箇所を特定することができる試験用半導体装置の評価方法を提供することを課題とする。【解決手段】 少なくとも2本以上の配線を並列に形成した試験用半導体装置の評価方法であって、少なくとも1本の配線を接地した状態で、該接地した配線と隣接する配線との間に矩形波パルス電圧を印加し、該パルスが配線を往復する時間と反射波電圧値を測定することで、断線または短絡の有無を判別するとともに、断線箇所または短絡箇所を特定することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも2本以上の配線を並列に形成した試験用半導体装置の評価方法であって、少なくとも1本の配線を接地した状態で、該接地した配線と隣接する配線との間に矩形波パルス電圧を印加し、該パルスが配線を往復する時間と反射波電圧値を測定することで、断線または短絡の有無を判別するとともに、断線箇所または短絡箇所を特定することを特徴とする試験用半導体装置の評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (4件)：
H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 S ,  H01L 27/04 T ,  H01L 27/04 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 特開昭59-155770
  • 特開平3-033665
  • 特開平4-114445
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審査官引用 (4件)
  • 特開昭59-155770
  • 特開平3-033665
  • 特開平4-114445
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