特許
J-GLOBAL ID：200903017471732945

半導体ウェーハのダイシング用フレーム

発明者：
田中 清文

田中 清文 について

, 
小田嶋 智

小田嶋 智 について

, 
細野 則義

細野 則義 について


出願人/特許権者：
信越ポリマー株式会社

信越ポリマー株式会社 について


代理人 (3件)： 藤本 英介 ,  神田 正義 ,  宮尾 明茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-230897
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048885
出願日： 2005年08月09日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】 フレームの強度を維持しつつ軽量性、作業性、利便性を向上させることができ、半導体ウェーハやその加工工程等に関する情報量の増大に対応できる半導体ウェーハのダイシング用フレームを提供する。【解決手段】 パターン描画された12インチの半導体ウェーハを収容する中空のフレーム1と、フレーム1の裏面に貼着されて収容された半導体ウェーハを粘着保持するダイシング層20とを備え、フレーム1を少なくとも樹脂からなる成形材料により2〜3mmの厚さに射出成形し、フレーム1のASTM D790における曲げ弾性率を25〜50GPaの範囲とし、かつASTM D790における曲げ強度を150〜600MPaの範囲とする。ポリフェニレンスルフィド等の成形材料を使用してフレーム1を射出成形するので、軽量化を図ることができ、これを通じて作業性や利便性を向上させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを収容する中空のフレームと、このフレームに取り付けられ、収容された半導体ウェーハを粘着保持する可撓性のダイシング層とを備えた半導体ウェーハのダイシング用フレームであって、 フレームを少なくとも樹脂からなる成形材料により2〜3mmの厚さに成形し、このフレームのASTM D790における曲げ弾性率を20GPa以上とするとともに、ASTM D790における曲げ強度を150MPa以上としたことを特徴とする半導体ウェーハのダイシング用フレーム。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/683
FI (2件)：
H01L21/78 M ,  H01L21/68 N
Fターム (11件)：
5F031CA02 ,  5F031DA13 ,  5F031DA15 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA78 ,  5F031JA49 ,  5F031MA34 ,  5F031MA37 ,  5F031PA18 ,  5F031PA30
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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