特許
J-GLOBAL ID：200903017494467041

半導体装置の製造方法

発明者：
清野 公師

清野 公師 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (2件)： 日向寺 雅彦 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-430809
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191280
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 微細なコンタクトホールを安定して形成でき、かつコンタクト抵抗のウェーハ面内ばらつきも極めて小さくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 コンタクト領域を有する半導体層の上に第1の層間絶縁膜、第2の層間絶縁膜、前記第1の層間絶縁膜と略同一の材料からなり開口を有するハードマスクを形成し、前記ハードマスクの前記開口に露出する前記第2の層間絶縁膜を第1のエッチング条件によりエッチングすることにより、前記第1の層間絶縁膜に至る第1の接続孔を前記第2の層間絶縁膜に形成し、前記ハードマスクと、前記第1の接続孔の底に露出している前記第1の層間絶縁膜と、を前記第1のエッチング条件と異なる第2のエッチング条件によりエッチングすることにより、前記コンタクト領域に至る第2の接続孔を前記第1の層間絶縁膜に形成する半導体装置の製造方法を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
コンタクト領域を有する半導体層の上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の層間絶縁膜の上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、 前記第2の層間絶縁膜の上に、前記第1の層間絶縁膜と略同一の材料からなり開口を有するハードマスクを形成する工程と、 前記ハードマスクの前記開口に露出する前記第2の層間絶縁膜を第1のエッチング条件によりエッチングすることにより、前記第1の層間絶縁膜に至る第1の接続孔を前記第2の層間絶縁膜に形成する工程と、 前記ハードマスクと、前記第1の接続孔の底に露出している前記第1の層間絶縁膜と、を前記第1のエッチング条件と異なる第2のエッチング条件によりエッチングすることにより、前記コンタクト領域に至る第2の接続孔を前記第1の層間絶縁膜に形成する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768
FI (3件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 C
Fターム (52件)：
4M104BB20 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD19 ,  4M104DD20 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104GG09 ,  4M104HH14 ,  5F004CB02 ,  5F004CB13 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA15 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004EA04 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA28 ,  5F004EA37 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033KK25 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR23 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033XX03
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体集積回路装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200986   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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