プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-155500
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077904
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】真空処理室と、該真空処理室内で処理される試料を配置するための試料台と、高周波電源を含むプラズマ生成手段とを有するプラズマ処理装置であって、前記試料を静電吸着力によって前記試料台に保持する静電吸着手段と、前記試料にパルスバイアス電圧を印加するパルスバイアス印加手段とを備え、前記高周波電源として10MHz〜500MHzの高周波電圧を印加するとともに、前記真空処理室を0.5〜4.0Paに減圧するように構成されている。

請求項（抜粋）：

真空処理室と、該真空処理室内で処理される試料を配置するための試料台と、高周波電源を含むプラズマ生成手段とを有するプラズマ処理装置であって、前記試料を静電吸着力によって前記試料台に保持する静電吸着手段と、前記試料にパルスバイアス電圧を印加するパルスバイアス印加手段とを備え、前記高周波電源として10MHz〜500MHzの高周波電圧を印加するとともに、前記真空処理室を0.5〜4.0Paに減圧するように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/205 , H05H 1/46 C , H01L 21/302 101 B

Fターム (23件)：

5F004AA01 , 5F004AA02 , 5F004AA16 , 5F004BA08 , 5F004BA09 , 5F004BA13 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB23 , 5F004BB28 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F045AA08 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF05 , 5F045EH13 , 5F045EH16 , 5F045EM05

引用特許：

審査官引用 (3件)

プラズマ処理装置、処理装置及びエッチング処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-120869 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
ドライエツチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-302578 出願人：日電アネルバ株式会社
窒化物上の酸化物をエッチングするための選択性の改良
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-341780 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

前のページに戻る