特許

J-GLOBAL ID：200903017551059699

シリコン単結晶の製造方法およびその製造装置

発明者： 北川 幸司 ,  尾崎 篤志 ,  水石 孝司 ,  石塚 徹
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-304786
公開番号（公開出願番号）：特開2000-119095
出願日： 1998年10月12日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 横磁場を印加するCZ法において、単結晶の成長軸方向の局所的な酸素濃度の均一性が高い単結晶棒を高生産性、高歩留りで製造できるシリコン単結晶の製造方法と製造装置を提供する。【解決手段】 ルツボ軸を中心に左右に対向配置された電磁石の磁場中心位置を下げることにより、ルツボ軸上のルツボ内のシリコン融液表面の磁場強度を、ルツボ軸上のルツボ底面の磁場強度の0.8〜0.95倍に制御する。さらに、電磁石のコイル面に開き角度をつけて横磁場を印加し、ルツボ内のシリコン融液表面のルツボ内壁における磁束ベクトルの傾きを14〜20度の範囲内に制御することにより、融液の温度変動を減少させつつ、酸素濃度の均一性を向上させることができた。

請求項（抜粋）：

横磁場を印加するチョクラルスキー法により、単結晶棒を成長させるシリコン単結晶の製造方法において、ルツボ軸上のルツボ内のシリコン融液表面の磁場強度を、ルツボ軸上のルツボ底面の磁場強度の0.8〜0.95倍に制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00

FI (2件)：

C30B 29/06 502 G ,  C30B 15/00 Z

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF00 ,  4G077EB06 ,  4G077EJ02 ,  4G077PA16 ,  4G077PF42 ,  4G077RA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 単結晶の製造方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158454   出願人：信越半導体株式会社
• 特開昭60-033293
  
• 特開昭60-033293