特許
J-GLOBAL ID:200903017565527830

極低温用高純度アルミニウム導体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅村 皓 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-153240
公開番号(公開出願番号):特開平7-166283
出願日: 1994年07月05日
公開日(公表日): 1995年06月27日
要約:
【要約】【目的】 30°K以下の極低温で反復歪みを受けた後でも、その電気抵抗の増加が少なく、超電導電力貯蔵装置用として使用可能な高純度A1導体の提供。【構成】 純度99.9〜99.9999重量のA1導体。該導体は、?@単結晶、?A事実上単結晶、または?B多結晶から成る。単結晶および事実上単結晶は、<100>または<111>の結晶軸が、導体軸線方向、または導体軸線に対して偏位角10°以内の方向を指向する。多結晶は、平均結晶粒径が0.01〜3.0mmであり、その大部分の結晶粒が、<100>または<111>の結晶軸が、導体軸線方向、または導体軸線に対して偏倚角10°以内の方向を指向する。
請求項(抜粋):
単結晶または多結晶からなる純度99.9〜99.9999重量%のアルミニウム導体であって、単結晶はアルミニウム導体の導体軸線方向に<100>または<111>の結晶軸を有し、多結晶はその大部分の結晶粒がアルミニウム導体の導体軸線方向に<100>および(または)<111>の結晶軸を有するものであり、30°K以下の極低温で用いられることを特徴とする極低温用高純度アルミニウム導体。
IPC (4件):
C22C 21/00 ,  C22B 21/00 ,  C22F 1/04 ,  H01B 1/02
引用特許:
審査官引用 (3件)

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