特許
J-GLOBAL ID:200903017586779031

積層体、コンデンサ、及び積層体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-317412
公開番号(公開出願番号):特開平11-147272
出願日: 1997年11月18日
公開日(公表日): 1999年06月02日
要約:
【要約】【課題】 誘電体層と金属薄膜層との積層体において、金属薄膜層の破断が生じにくく、金属薄膜層と電気的に接続させた外部電極を形成した場合には外部電極の付着強度が十分に高く、また、これをコンデンサとして使用した場合には小型化、高容量化を可能にする。【解決手段】 厚さ1μm以下の誘電体層12と、前記誘電体層12の片面に積層され、電気的絶縁部分16により区別される第1の金属薄膜層13と第2の金属薄膜層14とからなる積層単位15を1000層以上積層し、隣接する積層単位の電気的絶縁部分の積層位置が異なるとともに、ひとつおきの積層単位の電気的絶縁部分の積層位置が積層体全体で同一でないようにする。
請求項(抜粋):
厚さ1μm以下の誘電体層と、前記誘電体層の片面に積層され、帯状の電気的絶縁部分により区別される第1の金属薄膜層と第2の金属薄膜層とからなる積層単位を100層以上積層してなる積層体であって、隣接する前記積層単位の前記電気的絶縁部分の積層位置が異なるとともに、ひとつおきの積層単位の電気的絶縁部分の積層位置が積層体全体で同一でないことを特徴とする積層体。
IPC (5件):
B32B 7/02 104 ,  B32B 15/20 ,  B32B 27/30 ,  H01G 4/30 301 ,  H01G 4/30 311
FI (5件):
B32B 7/02 104 ,  B32B 15/20 ,  B32B 27/30 Z ,  H01G 4/30 301 F ,  H01G 4/30 311 F
引用特許:
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る