表面伝導型電子放出素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-101813
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295661
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】大型の基板においても高精度に各素子を形成することができ、また各素子が均一な電子放出強度を持つ表面伝導型電子放出素子の製造方法を提供する。【構成】絶縁性基板1の上にレジストパタ-ン11を直描にて形成する工程、該レジストパタ-ン11に対して絶縁性基板1をエッチングしてレジストパタ-ンよりも小さい面積を持つ段差部13を形成する工程、その上に素子電極材12を積層する工程、前記レジストパタ-ン11を除去して少なくとも段差部13を被覆するように金属または金属化合物の膜2を形成する工程、該金属または金属化合物の膜の一部分に電子放出部3を形成する工程からなる表面伝導型電子放出素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

表面伝導型電子放出素子の製造方法において、第1の層の上に第2の膜パターンを直描にて形成する工程、該第2の膜パターンに対して第1の層をエッチングして第2の膜パターンよりも小さい面積を持つ段差部を形成する工程、その上に第3の膜を積層する工程、前記第2の膜パターンを除去して少なくとも段差部を被覆するように金属または金属化合物の膜を形成する工程、該金属または金属化合物の膜の一部分に電子放出部を形成する工程を有することを特徴とする表面伝導型電子放出素子の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-247940
特開平2-139841
特開平3-261024

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