特許
J-GLOBAL ID:200903017602754753

薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法並びに液晶表示装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-011659
公開番号(公開出願番号):特開平5-203985
出願日: 1992年01月27日
公開日(公表日): 1993年08月13日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、薄膜トランジスタ製造工程及び液晶ディスプレイ製造工程における静電気による薄膜トランジスタの破壊を防止する。【構成】 予めゲートバス及びソースバス間を陽極酸化可能な金属で接続し、必要に応じて、陽極酸化して絶縁分離する。
請求項(抜粋):
基板上に少なくともゲートバス配線、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソースバス配線、ソース電極、ドレイン電極及び素子駆動電極をアレイ状に配置した薄膜トランジスタアレイにおいて、ゲートバス配線及びソースバス配線を予め陽極酸化可能な導電層で接続部を形成して同電位にしておくことを、特徴とする薄膜トランジスタアレイ。
IPC (4件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784
引用特許:
審査官引用 (2件)

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