特許

J-GLOBAL ID：200903017612428595

磁性体層の加工方法および磁気記憶装置の製造方法

発明者： 安藤 厚博
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-153202
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340260
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】反応生成物で磁性体層の加工面を被覆するとともにその反応生成物を薄膜化することで、磁気抵抗効果素子の加工形状の改善を可能とする。【解決手段】第1磁性体層111、非磁性体層112、第2磁性体層113が積層され、第2磁性体層113より順次エッチング加工する際に、第2磁性体層113の加工により発生する第1反応生成物121で第2磁性体層113の側壁を被覆するとともに、被覆に用いる第1反応生成物121を最小限の高さに除去して薄膜化し、非磁性体層112の加工時に発生する第2反応生成物122によって第2磁性体層113の加工時に発生する第1反応生成物121を被覆し、さらに第1磁性体層111の加工により発生する第3反応生成物123で第1磁性体層111の側壁を被覆するとともに、被覆に用いる第3反応生成物123を最小限の高さに除去して薄膜化する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1磁性体層と非磁性体層と第2磁性体層とを順に積層した積層膜の最上層にある第2磁性体層上にマスクパターンを形成する工程と、 前記マスクパターンをエッチングマスクに用いて前記第2磁性体層をエッチング加工するとともに、前記第2磁性体層の側壁を被覆する状態に前記第2磁性体層のエッチング加工で発生する第1反応生成物を堆積する工程と、 前記第1反応生成物を前記第2磁性体層の側壁を被覆する状態で最小限の高さとなるように除去加工して薄膜化する工程と、 前記マスクパターンおよび前記第1反応生成物をエッチングマスクに用いて前記非磁性体層をエッチング加工するとともに、前記第1反応生成物を被覆する状態に前記非磁性体層のエッチング加工で発生する第2反応生成物を堆積する工程と、 前記マスクパターンおよび前記第2反応生成物をエッチングマスクに用いて前記第1磁性体層をエッチング加工するとともに、前記第1磁性体層の側壁を被覆する状態に前記第1磁性体層のエッチング加工で発生する第3反応生成物を堆積する工程と、 前記第1磁性体層のエッチング加工で発生した第3反応生成物を前記第1磁性体層の側壁を被覆する状態で最小限の高さとなるように除去加工して薄膜化する工程と を備えたことを特徴とする磁性体層の加工方法。

IPC (8件)：

H01L21/3065 ,  H01F10/08 ,  H01F10/32 ,  H01F41/14 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

FI (8件)：

H01L21/302 105A ,  H01F10/08 ,  H01F10/32 ,  H01F41/14 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447

Fターム (30件)：

5E049AA01 ,  5E049AC03 ,  5E049BA06 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049HC05 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB29 ,  5F004EA12 ,  5F004EA13 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA31 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083PR03 ,  5F083PR04 ,  5F083PR07 ,  5F083PR09 ,  5F083PR10 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 磁気メモリ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-085095   出願人：ソニー株式会社