半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-283781
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114257
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】低温で成膜速度が大きく、水素またはハロゲン濃度を低減したシリコン窒化膜の形成を可能とする。【解決手段】二フッ化珪素と励起した窒素を試料表面に供給することでシリコン窒化膜を形成する。この二フッ化珪素ガスは、加熱したSi粒に前記四フッ化珪素ガスを接触させて形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも二フッ化珪素ガスと励起された窒素ガスを導入し、半導体基板上に、シリコン窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 , C23C 16/34 , C23C 16/511 , H01L 21/31 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/318 B , C23C 16/34 , C23C 16/50 E , H01L 21/31 C , H01L 29/78 301 G

Fターム (59件)：

4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA29 , 4K030BA40 , 4K030BB03 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030DA03 , 4K030EA01 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030FA08 , 4K030FA10 , 4K030FA12 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F040DA00 , 5F040DC01 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F045AA06 , 5F045AA09 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045BB07 , 5F045BB09 , 5F045DC57 , 5F045DC64 , 5F045DP03 , 5F045DP04 , 5F045EE01 , 5F045EE11 , 5F045EH18 , 5F045HA04 , 5F045HA22 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BE03 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-104340
特開昭60-190564
特開昭53-062982

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