特許
J-GLOBAL ID：200903017640597238

トレンチ形成プロセスのリアルタイム現場監視のための方法

発明者：
ジャン・カントルー

ジャン・カントルー について

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フィリップ・コロネル

フィリップ・コロネル について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション について

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ソフィー・インスツルメンツ

ソフィー・インスツルメンツ について


代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189117
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154693
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ形成プロセスを現場でかつリアルタイムで監視する方法を提供する。【解決手段】 ウェハをプラズマ・エッチング装置に入れ(57)、プラズマを生成する(58)。指定の波長の放射線により垂直の入射角でのぞき窓からウェハの大きい面積を照射する(59)。反射光を収集し、分光計に印加し、干渉計タイプの1次信号Sを生成する(60)。次に、この信号を2つのフィルタに同時に印加する(61)。低域フィルタは、付着速度と再付着層の厚さに関連するデータを含む第1の2次信号S1を出力する。帯域フィルタは、トレンチ・エッチング速度と深さに関連するデータを含む第2の2次信号S2を出力する。このようにフィルタ処理した信号を標準通りに監視し(62)、SiO2再付着層の厚さやトレンチ深さなどのトレンチ形成パラメータをリアルタイムで正確に測定し、エッチング終点を正確に決定できるようにする(63)。
請求項（抜粋）：
シリコン・ウェハの基板でのトレンチ形成プロセス中にトレンチ深さおよびSiO2再付着層の厚さのパラメータをリアルタイムかつ現場で監視するための方法において、a)エッチング装置の空にした反応室にウェハを入れるステップと、b)O2を含むプラズマを生成して前記基板の少なくとも一部に所望のトレンチ・パターンをエッチングし、トレンチ形成中にSiO2層が再付着するステップと、c)少なくとも1つの指定の放射線波長(L)を含む光ビームを使い、適当な入射角で前記一部の所定の面積を照射し、干渉計タイプの反射光を発生するステップと、d)反射光を分光計に印加し、1次信号(S)を生成するステップと、e)前記1次信号を構成しそれぞれ2次信号S1およびS2と呼ばれる低周波成分と、より高周波の成分とを抽出するために前記1次信号を処理するステップと、f)再付着速度とSiO2再付着層の厚さ関連データとを含む前記2次信号S1と、トレンチ・エッチング速度とトレンチ深さ関連データとを含む前記2次信号S2とを監視するステップと、g)所望の最終トレンチ深さDfが達成されると、エッチングを停止するステップとを含むことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  G01N 21/27 ,  H01L 21/66 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/302 E ,  G01N 21/27 B ,  H01L 21/66 P ,  H05H 1/46 A
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • ドライエッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-208789   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開平2-071517
  • 特開平2-071517

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