特許

J-GLOBAL ID：200903017658639930

プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 栗部 栄史
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-333348
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155997
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 より安定したプラズマを生成して均一な膜厚および膜質を有する薄膜を高速で成膜することが可能なプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持するアノード電極と、前記反応容器内に前記アノード電極に対向して配置されたホロカソードタイプの中カソード電極と、前記カソード電極に向けて反応ガスを供給するためのガス供給手段と、前記カソード電極に電力を印加するための電源とを具備し、前記カソード電極は、前記アノード電極に対向する前面に複数のガス吹き出し穴が開口され、これら穴の背面に位置する前記部分にこれら穴と連通するように穿設された前記穴より径の小さいガス導入孔とを有し、かつ前記各ガス吹き出し穴の直径は成膜時の放電条件での前記穴内周面付近に形成されるプラズマシースの距離の2倍を超え、12倍以下である。

請求項（抜粋）：

排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持するアノード電極と、前記反応容器内に前記アノード電極に対向して配置されたホロカソードタイプのカソード電極と、前記カソード電極に向けて反応ガスを供給するためのガス供給手段と、前記カソード電極に電力を印加するための電源とを具備し、前記カソード電極は、前記アノード電極に対向する前面に複数のガス吹き出し穴が開口され、これら穴の背面部分にこれら穴と連通するように穿設された前記穴より径の小さいガス導入孔とを有し、かつ前記各ガス吹き出し穴の直径は成膜時の放電条件での前記穴内周面付近に形成されるプラズマシースの距離の2倍を超え、12倍以下であることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46 M

Fターム (38件)：

4K030AA06 ,  4K030AA08 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB04 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030HA02 ,  4K030JA01 ,  4K030JA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF13 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA61 ,  5F045DA65 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F045EF20 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ウェハの容量結合放電処理装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-214557   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開昭63-108711