特許

J-GLOBAL ID：200903017660063876

発光素子及び発光素子の製造方法

発明者： 萩本 和徳
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-200443
公開番号（公開出願番号）：特開2005-044849
出願日： 2003年07月23日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】発光層部を反射金属層で覆い、さらに、その反射金属層を、別の結合用金属層を介して素子基板と貼り合せた構造を有する発光素子において、結合用金属層から反射金属層への成分拡散を効果的に防止でき、ひいては、該拡散による反射率低下などの不良を生じにくい発光素子を提供する。【解決手段】発光素子100は、発光層部24を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に、発光層部24からの光を光取出面側に反射させる反射面を有した反射金属層10cが形成される。そして、該反射金属層10cが結合用金属層10a,10bを介して素子基板7に結合されるとともに、反射金属層10cと結合用金属層10a,10bとの間に、該結合用金属層10a,10bの金属成分が反射金属層10c側に拡散することを阻止する反射金属層側拡散阻止層10fが介挿されてなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

発光層部を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に、前記発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した反射金属層が形成され、該反射金属層が結合用金属層を介して素子基板に結合されるとともに、前記反射金属層と前記結合用金属層との間に、該結合用金属層の金属成分が前記反射金属層側に拡散することを阻止する反射金属層側拡散阻止層が介挿されてなることを特徴とする発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-160696   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200298   出願人：株式会社東芝
• 特開昭61-220344
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 日経エレクトロニクス,2002.10.21,No.833,p.124-132