特許
J-GLOBAL ID：200903039299554472

半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置

発明者：
岡崎 治彦

岡崎 治彦 について

, 
菅原 秀人

菅原 秀人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200298
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026392
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 電極構造においてオーミック性と高反射率を両立させつつ、電極を構成する金属の相互拡散を防止することにより、外部量子効率を向上できると共に動作電圧の低減及び信頼性の向上できる半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置を提供すること、または、電極における光の散乱、吸収を抑制することにより、外部量子効率の向上できる半導体発光素子及び半導体発光装置を提供することにある。【解決手段】 サファイア基板20上のInGaN活性層22に電流を注入するp型電極26が、p型GaN層24とのオーミック接触の取れるオーミック電極としてのNi層32、バリア電極としてのMo層33、高反射電極としてのAl層34、バリア電極となるTi層35、リードフレーム12上のサブマウント13との接触性を向上させるオーバーコート電極となるAu層36の5層構造であることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体基板または絶縁基板上に設けられた第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層上に設けられ、自然放出光を発生して放出する活性層と、前記活性層上に設けられた第2導電型の第2半導体層と、前記半導体基板の裏面または前記第1半導体層上に設けられ、前記活性層及び前記第2半導体層と離隔した第1電極と、前記第2半導体層上に設けられた第2電極とを具備し、前記活性層から放出された発光を前記半導体基板または絶縁基板側から外部に取り出す半導体発光素子であって、前記第2電極は、前記第2半導体層とオーミック接触が可能なオーミック電極と、前記オーミック電極上に設けられ、高融点金属からなる第1バリア電極と、前記第1バリア電極上に設けられ、前記活性層が放出する発光の波長に対して高反射率を有する高反射率電極とを備え、前記第1バリア電極で、前記オーミック電極と前記高反射率電極内の原子が相互に拡散するのを防止することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301
FI (2件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 H
Fターム (27件)：
4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104FF17 ,  4M104GG04 ,  4M104HH05 ,  4M104HH15 ,  5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15
引用特許：
審査官引用 (18件)
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