特許

J-GLOBAL ID：200903017661357067

単結晶製造装置

発明者： 大音 保浩 ,  伊藤 誠人
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338095
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157084
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】 CZ法により製造されるシリコン単結晶の有転位化を抑え、かつ酸化膜耐圧特性を改善する。【解決手段】 ルツボ2内の原料を加熱するヒータ3と、銅からなる給電用の引込み電極8,8との間に、固有抵抗値が4000μΩcm以下で熱伝導率が150kcal/mhr°C以下の導電性熱抵抗部材9,9を介在させる。引込み電極8,8を介した放熱を抑え、ヒータ電力を低減することにより、単結晶の有転位化を抑える。引込み電極8,8による単結晶のCu汚染を抑えて、酸化膜耐圧特性を改善する。

請求項（抜粋）：

ルツボの周囲に配置されたヒータによりルツボ内の結晶原料を溶融し、その融液を前記ヒータにより加熱しつつ融液から単結晶を引き上げる単結晶製造装置において、前記ヒータに電流を通じるための引込み電極を、導電性熱抵抗部材を介してヒータと接続することを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (3件)：

C30B 15/14 ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502

FI (3件)：

C30B 15/14 ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-339953   出願人：株式会社日鉱共石