特許

J-GLOBAL ID：200903017686359218

半導体ウェハの研磨方法

発明者： 中▲吉▼ 雄一
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-175346
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321001
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【目的】 研磨する前の形状を損なうことなく、平坦度の高い半導体ウェハに研磨することができる半導体ウェハの研磨方法を提供する。【解決手段】 定盤4の上面にシリコーンラバーシート2を固着する。シリコーンラバーシート2の上に研磨クロス5を固着する。半導体ウェハ10と略同じ厚さのテンプレート1をバッキングパッド32に固着する。テンプレート1により半導体ウェハ10を保持する。半導体ウェハ10を研磨クロス5に当接させて研磨する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハをテンプレートで保持し、定盤に固着された研磨クロスに当接させて研磨する半導体ウェハの研磨方法において、前記定盤と前記研磨クロスの間に弾力性を有するシートを介在させて研磨することを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 M ,  B24B 37/00 C ,  B24B 37/04 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 研磨部材およびウエーハ研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-342940   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体プロセスのための改良された複合研摩パッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-154196   出願人：インテル・コーポレーション
• 研磨ヘッド、エッジリテイナの使用方法及びこのエッジリテイナを使用するための装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-340788   出願人：サイベック・システムズ
• 特開昭50-133596