特許

J-GLOBAL ID：200903017688511912

薄膜トランジスタ

発明者： 腰塚 靖雄
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187398
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015761
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 櫛歯型の薄膜トランジスタにおいて、ドレイン電圧VDを上げても、VG(ゲート電圧)-ID(ドレイン電流)特性が劣化しないようにする。【解決手段】 ドレイン電極7及びソース電極8の各歯部7a、8aの先端部とこれに対向するソース電極8及びドレイン電極7の各連結部8b、7bとの間隔T1はドレイン電極7の歯部7aとソース電極8の歯部8aとの間隔T2(チャネル長)よりも大きくなっている。これにより、ドレイン電極7及びソース電極8の各歯部7a、8aの先端部とこれに対向するソース電極8及びドレイン電極7の各連結部8b、7bとの間に生じる電界集中を緩和することができる。この結果、ドレイン電圧VDを例えば40Vと上げても、VG-ID特性が劣化しないようにすることができる。

請求項（抜粋）：

複数の歯部とこれらの歯部を連結する連結部とを有して櫛歯状に形成されたドレイン電極とソース電極とが互いに食い込むように設けられた薄膜トランジスタにおいて、前記ドレイン電極及び前記ソース電極のうち一方の電極の各歯部の先端部とこれに対向する他方の電極の連結部との間隔が前記ドレイン電極の歯部と前記ソース電極の歯部との間隔よりも大きくなっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/41

FI (2件)：

H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/44 F

Fターム (8件)：

4M104AA01 ,  4M104CC01 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  5F110AA13 ,  5F110CC01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214070   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平3-245126