特許
J-GLOBAL ID：200903017689007525
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-322628
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160304
出願日： 1991年12月06日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】半導体チップとリード端子間の熱抵抗を小さくし、放熱特性のよい半導体装置を提供することである。【構成】上面に酸化アルミニウム層18が形成されているアルミニウム板17の上に半導体チップ10を接着剤12により接着する。さらに、酸化アルミニウム層18上にに接着剤19によりリード端子13,13,...を接着する。
請求項（抜粋）：
表面に酸化アルミニウム層が形成されているアルミニウム板と、上記酸化アルミニウム層に固着される半導体チップと、上記酸化アルミニウム層に固着されるリード端子と、上記半導体チップ上に形成された電極と上記リード端子とを接続する金属細線とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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