特許
J-GLOBAL ID：200903017693424599
半導体発光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-046837
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250811
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 高出力動作時も単一横モード発振可能で、かつ製造容易な半導体発光装置を得る。【構成】 発光領域Aが第1クラッド層2、活性層3、第2クラッド層4、横モード制御用の第2光ガイド層5、第2クラッド層4,7およびコンタクト層8がこの順に積層されてなり、埋め込み領域Bである電流阻止部が第1クラッド層2、活性層3、第2クラッド層4、第1電流ブロック層6、第2クラッド層7およびコンタクト層8がこの順に積層されてなり(第1、第2はそれぞれ、n型とp型の一方と他方を示す)、上記第2クラッド層4がInGaPクラッド層である埋め込み構造型の半導体発光装置において、光ガイド層5を、屈折率がInGaPクラッド層4よりも大きくて、GaAsよりも小さいInGaAsPから形成する。
請求項（抜粋）：
発光領域が第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、横モード制御用の第2光ガイド層、第2クラッド層およびコンタクト層がこの順に積層されてなり、埋め込み領域である電流阻止部が第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、第1電流ブロック層、第2クラッド層およびコンタクト層がこの順に積層されてなり(ただし第1、第2はそれぞれ、n型とp型の一方と他方を示す)、前記第2クラッド層がInGaPクラッド層である埋め込み構造型の半導体発光装置において、前記第2光ガイド層が、屈折率が前記InGaPクラッド層よりも大きくて、GaAsよりも小さいInGaAsPから形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (1件)
-
歪量子井戸半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-070599
出願人：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
前のページに戻る
