特許
J-GLOBAL ID:200903017699083637
耐熱性ポリエチレンジオキシチオフェンの製造方法、導電性高分子材料及び固体電解コンデンサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐藤 良博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-335140
公開番号(公開出願番号):特開2003-137982
出願日: 2001年10月31日
公開日(公表日): 2003年05月14日
要約:
【要約】【構成】 ペルフルオロアルカンスルホン酸のFe(III)塩及び/又はCu(II)塩を酸化剤として用いエチレンジオキシチオフェンを重合させる耐熱性ポリエチレンジオキシチオフェンの製造方法及び当該ポリエチレンジオキシチオフェンにドーパントとしてペルフルオロアルカンスルホン酸のアニオンを含有してなる導電性高分子材料並びに当該導電性高分子材料を陰極導電性材料として用いてなる固体電解コンデンサ。【効果】 ペルフルオロアルカンスルホン酸のアニオンをポリ(3,4-エチレンジオキシ)チオフェン中に含有させたので、高い導電性と優れた耐熱性を示す導電性高分子材料を得ることができ、また、この導電性高分子材料を固体電解コンデンサの陰極導電材料として使用すると、共振周波数におけるインピーダンスが小さく、高周波特性が良好であり、しかも高温での特性劣化の少ない固体電解コンデンサを得ることができる。
請求項(抜粋):
ペルフルオロアルカンスルホン酸のFe(III)塩及び/又はペルフルオロアルカンスルホン酸のCu(II)塩を酸化剤として用い、エチレンジオキシチオフェンを化学酸化重合させることを特徴とする耐熱性ポリエチレンジオキシチオフェンの製造方法。
IPC (3件):
C08G 61/12
, H01B 1/12
, H01G 9/028
FI (3件):
C08G 61/12
, H01B 1/12 F
, H01G 9/02 331 H
Fターム (6件):
4J032BA03
, 4J032BB01
, 4J032BC03
, 4J032BC32
, 4J032BD02
, 4J032CG01
引用特許: