面発光型半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071072
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269598
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】面発光レーザの性能を落とすことなく、レーザの光出力を容易にかつ高速にモニターできる光検出器を備えた面発光型半導体レーザと面発光型半導体レーザアレイを提供する。【解決手段】面発光型半導体レーザのp型DBR層17とスペーサ層16との間に、導波路中心に開口部2が設けられたn型GaAs光吸収層1を受光部として挿入し、この光吸収層1内に発生した電子を取り出すためのPD電極23を光吸収層1の上に形成する。

請求項（抜粋）：

活性領域、該活性領域を挟む一対のスペーサ層、該一対のスペーサ層を挟む一対のDBRミラー、及び少なくとも前記一対のスペーサ層を含む領域を挟んで形成された一対のレーザ駆動電極を有し、該レーザ駆動電極に電圧を印加することにより、レーザ内部の光導波路からレーザ光を出力する面発光型半導体レーザにおいて、前記光導波路の少なくとも周縁部の一部に設けられ、前記活性層より発せられたレーザ光を吸収しキャリアを発生する受光部と、該受光部で発生したキャリアを取り出す受光部電極と、を有する光検出器を備えたことを特徴とする面発光型半導体レーザ。

Fターム (11件)：

5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AB02 , 5F073AB05 , 5F073AB13 , 5F073AB17 , 5F073BA06 , 5F073BA07 , 5F073CA05 , 5F073DA27 , 5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-224342 出願人：富士通株式会社
面発光半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-061508 出願人：オリンパス光学工業株式会社
特開昭59-129469

前のページに戻る