特許
J-GLOBAL ID：200903017747934814

スパッタ成膜方法、光吸収膜並びにNDフィルター

発明者：
大島 宜浩

大島 宜浩 について

, 
河嶋 利孝

河嶋 利孝 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-149393
公開番号（公開出願番号）：特開2007-321170
出願日： 2006年05月30日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】光吸収特性の再現性よく安定して光吸収膜を成膜することのできるスパッタ成膜方法を提供し、該スパッタ成膜方法により成膜される光吸収膜を提供する。また、装置の切り替えロスなく、プロセス条件の変更のみにより形成することのできるNDフィルターを提供する。【解決手段】NDフィルター10は、基板11上に、第1層12aとしてSiCxOy(0.3<x<0.45,1.0<y<1.7)層、第2層13としてSi層、第3層12bとしてSiCxOy(0.3<x<0.45,1.0<y<1.7)層、第4層14としてSiO2層が積層されてなることを特徴とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
CO2及び/又はCOの反応性ガスの存在下でSiターゲットをスパッタガスによりスパッタリングし、SiCxOy(0.3<x<0.45,1.0<y<1.7)からなる光吸収膜を成膜することを特徴とするスパッタ成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/06 ,  G02B 5/00 ,  G02B 5/22
FI (3件)：
C23C14/06 E ,  G02B5/00 A ,  G02B5/22
Fターム (19件)：
2H042AA08 ,  2H042AA11 ,  2H042AA22 ,  2H048CA05 ,  2H048CA09 ,  2H048CA14 ,  2H048CA20 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA35 ,  4K029BA41 ,  4K029BA46 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC33 ,  4K029DC34 ,  4K029EA05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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