特許
J-GLOBAL ID：200903025516463390
成膜装置及び成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
北村 欣一
, 原嶋 成時郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-014553
公開番号（公開出願番号）：特開2005-206875
出願日： 2004年01月22日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】高速成膜領域での高速成膜を安定的に確保した状態で成膜を行い得る成膜装置及び成膜方法を提供する。【解決手段】いずれも基板2に対向するTiターゲット5とSiターゲット6とスパッタガス導入口14と反応ガス導入口15とを内部に設けたチャンバ1を備えた成膜装置を用い、反応ガス導入口15から所定流量の二酸化炭素ガスを導入し、また、スパッタガス導入口14から所定流量のアルゴンガスを導入した状態で、Tiターゲット5及びSiターゲット6のいずれかによるスパッタ工程を交互に行って、基板2上にTiO2膜及びSiO2膜を形成する。そして、この交互スパッタ工程を繰り返し行うことにより、TiO2膜及びSiO2膜から成る交互多層膜を形成する。さらに、得られた交互多層膜に対して、酸素雰囲気下で、300°C以上の温度条件のアニール処理を行う。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
スパッタ成膜源及び反応ガス源の両原料供給源を真空室内に設けた成膜装置において、前記スパッタ成膜源が金属ターゲットから成り、前記反応ガス源からの反応ガスが二酸化炭素ガスを含有することを特徴とする成膜装置。
IPC (4件)：
C23C14/34
, C23C14/08
, C23C14/10
, C23C14/58
C23C14/34 M
, C23C14/34 A
, C23C14/08 E
, C23C14/10
, C23C14/58 A
4K029BA43
, 4K029BA44
, 4K029BA45
, 4K029BA46
, 4K029BA47
, 4K029BA48
, 4K029BA49
, 4K029CA06
, 4K029DC02
, 4K029DC03
, 4K029DC15
, 4K029GA01
