導波路型光素子及びこれを用いた光送信モジュール並びに集積化光導波素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181857
公開番号（公開出願番号）：特開平10-026710
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】半導体光素子に関し、極めて簡易な作製法で実現可能な信頼性の高いリッジ装荷型光導波路素子の素子構造を提供することにある。【解決手段】リッジ装荷型光導波路の両脇のリッジを形成するためのエッチング溝に熱膨張係数の小さな有機絶縁膜材料を充填し平坦化すること、およびエッチング溝の幅及び有機絶縁膜材料の厚みを最適な値に設定して半導体光素子を作製する。【効果】本発明によれば、リッジ状の半導体層及びその表面に形成されたSiO2のダメージのない信頼性の高いリッジ装荷型光導波路素子を容易に実現できる。また、素子信頼性、歩留まりが飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光通信システムの大容量化、長距離化を容易に実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたリッジ装荷型光導波素子において、リッジ部の両脇にリッジを形成するための有機絶縁膜材料で充填されたエッチング溝を有し、該有機絶縁膜材料の熱膨張係数が3×10-5K-1以下であることを特徴とする半導体導波路型光素子。

IPC (4件)：

G02B 6/122 , G02B 6/12 , G02F 1/025 , H01S 3/18

FI (4件)：

G02B 6/12 A , G02F 1/025 , H01S 3/18 , G02B 6/12 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-357766 出願人：古河電気工業株式会社

前のページに戻る