特許
J-GLOBAL ID：200903017765951858

剥離方法、剥離装置および半導体装置の製造方法

発明者：
小野寺 勝美

小野寺 勝美 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-075131
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231533
出願日： 2008年03月24日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】剥離を容易に行うことができる剥離方法を提供する。また、剥離精度を向上させることにより、装置の製造歩留まりを向上させる。【解決手段】本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第1基板(S1)と、前記第1基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第2基板(S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第1基板と前記第2基板とを剥離する。かかる方法によれば、負圧状態下で、前記第1基板と前記第2基板とを剥離することにより、剥離層の層内又は界面の隙間が膨張し、剥離を容易に行うことができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
剥離層とその上部に形成された半導体素子とを有する第1基板と、前記第1基板の前記半導体素子形成面と接着層を介して接合された第2基板と、を有する積層基板の剥離方法であって、 負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層の層内又は界面から前記第1基板と前記第2基板とを剥離することを特徴とする剥離方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (2件)：
H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D
Fターム (26件)：
5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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