ゲート絶縁膜の改質した表面を有する有機薄膜トランジスタ

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 西山雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-575431
公開番号（公開出願番号）：特表2005-519486
出願日： 2003年02月11日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

ゲート絶縁膜と有機半導体層との間に介在させた自己組織化単分子層を含む有機薄膜トランジスタが提供される。この単分子層は、ゲート絶縁膜と自己組織化単分子層の前駆体との間の反応の生成物である。前記半導体層には、少なくとも1種の電子供与性基、ハロゲン原子またはそれらの組合せで置換したアセン、または、場合によっては少なくとも1種の電子供与性基、ハロゲン原子、またはそれらの組合せによって置換されていてもよい、ベンゾ環生成アセンまたはポリベンゾ環生成アセンから選択される材料を含む。薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを含む集積回路の製造方法もまた提供される。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜と有機半導体層との間に介在させた自己組織化単分子層を含む有機薄膜トランジスタ(OTFT)であって、前記単分子層は、ゲート絶縁膜と自己組織化単分子層の前駆体との間の反応生成物であり、前記前駆体は次式: X-Y-Zn (式中、XはHまたはCH3であり;Yは、直鎖状もしくは分枝状のC5〜C50脂肪族もしくは環状脂肪族の結合基、または直鎖状もしくは分枝状のC8〜C50の芳香族基含有基およびC3〜C44の脂肪族もしくは環状脂肪族結合基であり;Zは、-PO3H2、-OPO3H2、ベンゾトリアゾリル(-C6H4N3)、ベンゾトリアゾリルカルボニルオキシ(-OC(=O)C6H4N3)、ベンゾトリアゾリルオキシ(-O-C6H4N3)、ベンゾトリアゾリルアミノ(-NH-C6H4N3)、-CONHOH、-COOH、-OH、-SH、-COSH、-COSeH、-C5H4N、-SeH、-SO3H、-NC、-SiCl(CH3)2、-SiCl2CH3、アミノ、およびホスフィニルから選択され;そして、nは1、2、または3であるが、ただしZが-SiCl(CH3)2または-SiCl2CH3である場合にはn=1であり;そしてここで前記有機半導体層が: 少なくとも1種の電子供与性基、ハロゲン原子、またはそれらの組合せで置換したアセン、または少なくとも1種の電子供与性基、ハロゲン原子、またはそれらの組合せで場合によっては置換した、ベンゾ環生成アセンまたはポリベンゾ環生成アセン、から選択される物質を含む) を有する組成物を有する、OTFT。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/28

Fターム (31件)：

5F110AA01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF24 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (1件)

コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055997 出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

A Reiterative Approach to 2,3-Disubstituted Naphthalenes and Anthracenes

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