特許
J-GLOBAL ID：200903017782925305
プラズマ付着方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
澤井 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-140685
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221021
出願日： 1984年11月09日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 ECR放電に加えてマグネトロン放電を併用することにより、ターゲット電流をさらに増大させて付着速度の増大を図ると共に、スパッタされた金属粒子のイオン化・活性化を向上させて低温で良質な金属膜や金属化合物膜を制御性良く形成し得るプラズマ付着方法を提供する。【構成】 スパッタ形ECRプラズマ付着法において、ターゲット電極を、磁気コイルにより発生する発散磁界のうちの一部分の磁力線がスパッタ表面のある部分から出て他の部分に戻るような局所磁界を発生させる電極とし、酸化物膜を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
膜形成すべき試料基板が配置される試料台を内含する試料室と、ガスを導入して磁気コイルにより形成される磁界とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴放電によりプラズマを発生させるプラズマ生成室と、前記磁気コイルはプラズマを前記プラズマ生成室から前記試料台に引き出すために磁界強度が前記プラズマ生成室から前記試料台方向に向かって次第に弱くなる発散磁界を生じる磁界源であり、発生したプラズマを前記試料室に導くプラズマ引き出し窓と、該プラズマ引き出し窓と上記試料台との間に配置されるターゲット電極とを有し、このターゲット電極のスパッタリングにより試料基板上に薄膜を付着・堆積させるプラズマ付着方法において、前記ターゲット電極を、前記磁気コイルにより発生する発散磁界のうちの一部分の磁力線がスパッタ表面のある部分から出て他の部分に戻るような局所磁界を発生させる電極とし、前記ターゲット電極のターゲット材を金属で構成し、100V以上の電圧領域における前記ターゲット電極に流れる電流値が急上昇する電圧を越える電圧を印加し、酸素分圧を1〜3×10-2Pa程度にして酸化物膜を形成することを特徴とするプラズマ付着方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C23C 14/35
, C23C 16/50
, H01L 21/205
