特許

J-GLOBAL ID：200903017798505071

半導体装置の製造方法

発明者： ダラム パル ゴサイン ,  ジョナサン ウエストウォータ ,  中越 美弥子 ,  碓井 節夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-324367
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163112
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 非晶質の半導体膜を結晶化する際に、下地の構造に応じて最適エネルギーのビームを照射することが可能であり、膜全体にわたって一様に結晶化することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板10上にゲート電極11を形成すると共にこのゲート電極11が形成されていない領域のみに透明の窒化アルミニウム膜12を形成する。これらゲート電極11および窒化アルミニウム膜12上に絶縁膜を介して非晶質シリコン膜を形成し、プラズマまたはイオンドーピングによりn型不純物を導入してソース領域21aおよびドレイン領域21bを形成する。続いて、基板表面からレーザビーム20を照射すると、非晶質シリコン膜16が溶融し、その後、室温に冷却することにより溶融領域が結晶化して多結晶シリコン膜21となる。ここで、金属膜(ゲート電極11)の無い領域に熱伝導率のよい窒化アルミニウム膜12が成膜されているので、膜表面の最高到達温度がほぼ同じになり、膜全体にわたって一様に結晶化を行うことができる。

請求項（抜粋）：

基板上に選択的に金属膜を形成する工程と、前記基板上の金属膜が形成されていない領域に前記金属膜と実質的に熱伝導率が同じ絶縁膜を形成する工程と、前記金属膜および前記絶縁膜上に非晶質で膜厚の均一な半導体膜を形成する工程と、前記非晶質の半導体膜にエネルギービームを照射することにより前記半導体膜を一様に多結晶化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-114853
  
• 特開昭62-254466
  
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-040523   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所