半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-040523
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231098
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】特性の優れた結晶性珪素膜を得る。【構成】 400〜620°C、好ましくは、520〜620°C、より好ましくは、550〜600°Cで、1〜12時間熱アニールすることによって結晶化度0.1〜99.9%、好ましくは、1〜99%の低度に結晶化させた珪素膜に紫外線レーザーを照射することによって、短時間で珪素膜の結晶性を向上させ、均一な結晶性珪素膜を得る。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に非単結晶珪素膜を形成する第1の工程と、前記非単結晶珪素膜を400〜620°Cで加熱アニールすることによって、該珪素膜の結晶化度を0.1〜99.9%とする第2の工程と、該工程にひき続いて紫外線レーザー光を照射する第3の工程と、を有する半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-078120
特開平4-076912
特開平3-022540

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