特許
J-GLOBAL ID：200903017810326480

半導体装置の製造方法

発明者：
新井 良之

新井 良之 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-063413
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264205
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：
【要約】【課題】 従来の半導体装置の製造方法では、半導体チップを搭載する支持体の反りに起因する接着剤の濡れ不足により半導体チップを支持体に強固に接着できず、信頼性が劣化していた。【解決手段】 接着剤の硬化を封止樹脂を圧縮硬化させる圧力のもとで封止樹脂の硬化と同時に行うことにより、反りを有する支持体を適正な形状に矯正して、接着剤の濡れ不足を解消し半導体チップを支持体に強固に固定することが可能となる。これにより優れた信頼性を有する半導体装置を簡略な工程で実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、上記半導体チップを搭載する支持体と、上記半導体チップと上記支持体とを接着する接着剤とが、封止樹脂によって封止されている半導体装置の製造方法であって、上記支持体と上記半導体チップと上記接着剤とを封止金型内で上記封止樹脂で封止する工程で、上記封止樹脂には圧力を印加して、上記接着剤の硬化の少なくとも一部と上記封止樹脂の硬化の少なくとも一部とを行なう工程(a)を備える半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/56 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (5件)：
H01L 21/56 T ,  H01L 21/52 C ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 25/08 B ,  H01L 25/08 Z
Fターム (13件)：
5F044LL01 ,  5F044RR01 ,  5F044RR03 ,  5F044RR08 ,  5F044RR19 ,  5F047AA17 ,  5F047BA33 ,  5F047BB03 ,  5F047BB13 ,  5F047BB16 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21
引用特許：
審査官引用 (3件)

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