特許
J-GLOBAL ID：200903017858911910

電力半導体装置及びその製造方法

発明者：
佐々木 太志

佐々木 太志 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392213
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197858
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 電力半導体素子及び外部接続端子の実装面積を小型化させた電力半導体装置を提供する。【解決手段】 この電力半導体装置は、直列接続された一対のローサイド側及びハイサイド側スイッチング回路とを備え、該電力半導体装置は、ベース板2と、ベース板の上に設けられ、回路パターン4が形成された絶縁基板3と、回路パターン上に実装され、ローサイド側及びハイサイド側スイッチング回路をそれぞれ構成する複数の電力半導体素子5と、ローサイド側入力端子6aと、ハイサイド側入力端子6cと、出力端子6bとからなる外部接続端子とを備え、外部接続端子は、各端子のベース板への射影成分の少なくとも一部が互いに重なるように、ベース板に垂直方向に所定間隙を空けて積み重ねられた積重ね構造を有し、ハイサイド側とローサイド側との間に延在している。
請求項（抜粋）：
直列接続された一対のローサイド側スイッチング回路とハイサイド側スイッチング回路とを備えた電力半導体装置であって、該電力半導体装置は、ベース板と、前記ベース板の上に設けられ、回路パターンが形成された絶縁基板と、前記絶縁基板の前記回路パターン上に実装された複数の電力半導体素子を含むローサイド側スイッチング回路及びハイサイド側スイッチング回路と、前記ローサイド側スイッチング回路に接続されたローサイド側入力端子と、前記ハイサイド側スイッチング回路に接続されたハイサイド側入力端子と、前記ローサイド側及びハイサイド側スイッチング回路とに接続された出力端子とからなる外部接続端子とを備え、前記外部接続端子の前記各端子を前記ベース板への射影成分の少なくとも一部が互いに重なるように、前記ベース板に垂直方向に所定の間隙を空けて積み重ね、前記ハイサイド側スイッチング回路と前記ローサイド側スイッチング回路との間に延在していることを特徴とする電力半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 7/04 ,  H02M 7/48
FI (3件)：
H02M 7/04 D ,  H02M 7/48 Z ,  H01L 25/04 C
Fターム (14件)：
5H006AA00 ,  5H006CA01 ,  5H006CA07 ,  5H006CB01 ,  5H006HA07 ,  5H006HA08 ,  5H007AA00 ,  5H007CA01 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC01 ,  5H007CC09 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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