特許

J-GLOBAL ID：200903017858964763

半導体装置

発明者： 服部 佳晋 ,  中島 京子 ,  山内 庄一 ,  鈴木 幹昌
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-352335
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116951
出願日： 2003年10月10日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 周辺領域に繰り返し領域を備えた半導体装置において、半導体装置の寸法を大きくすることなく、周辺領域のオフ耐圧を向上させること。【解決手段】 半導体スイッチング素子が形成されている中心領域Mと、その中心領域Mの周辺に形成されている周辺領域Nを有する半導体装置である。その周辺領域Nは、n型のn型部分領域22とp型のp型部分領域24の組合せからなる互層が繰返して形成されている。電極45が中心領域Mに形成されているn+型のコンタクト領域46に接触し、中心領域Mの最外周に形成されているコンタクト領域46aを介して周辺領域Nの第2半導体層28と接続しており、そのコンタクト領域46aから繰返し構造26の周縁までの距離の少なくとも1/8以上の距離に亘って、周辺領域Nに伸びていることを特徴とする半導体装置。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体スイッチング素子が形成されている中心領域と、その中心領域の周辺に形成されている周辺領域を有する半導体装置であり、 その周辺領域は、裏面側の第1導電型の第1半導体層と、表面側の第2導電型の第2半導体層と、両者を分離している中間層と、第2半導体層の表面を覆う絶縁膜と、その絶縁膜の表面に沿って形成されている電極を備えており、 その中間層は、第1半導体層から第2半導体層に向かって伸びる第1導電型の第1部分領域と第2半導体層から第1半導体層に向かって伸びる第2導電型の第2部分領域の組合せからなる互層が、第1半導体層と第2半導体層を結ぶ方向に直交する面内で繰返して形成されており、 その電極は、中心領域に形成されている第2導電型のコンタクト領域に接触し、中心領域の最外周に形成されているコンタクト領域を介して周辺領域の第2半導体層に接続されており、その最外周のコンタクト領域から中間層に形成されている繰返し構造の周縁までの距離の少なくとも1/8以上の距離に亘って、周辺領域に伸びていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (5件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 653A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-383440   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-383440   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー