特許
J-GLOBAL ID：200903071326423483
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-383440
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184985
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 縦型MOS電界効果トランジスタの高耐圧化を図ること。【解決手段】 縦型MOS電界効果トランジスタ1は、P-型シリコン単結晶領域15とN型シリコン単結晶領域17とが、シリコン基板上で交互に並んだ構造である、スーパージャンクション構造部13を備えている。電極部31は、スーパージャンクション構造部13の終端13b1と距離を設けた位置にあり、かつ、周辺部13bを構成するP型シリコン単結晶領域15(15a)と電気的に接続されている。
請求項（抜粋）：
縦型半導体素子を備えた半導体装置であって、第1導電型の半導体基板と、電極部と、前記半導体基板と前記電極部との間に位置し、第1導電型の第1半導体領域と第2導電型の第2半導体領域とが、前記半導体基板上で交互に並ぶ構造部と、を備え、前記半導体基板と前記第1半導体領域とは電気的に導通され、前記構造部は、前記縦型半導体素子の形成部と、前記形成部の周辺に位置し、前記構造部の終端を含む周辺部と、を含み、前記電極部は、前記構造部の終端と距離を設けた位置にあり、かつ、前記周辺部を構成する前記第2半導体領域と電気的に導通されている、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 653
H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 652 N
, H01L 29/78 652 S
, H01L 29/78 653 C
