特許
J-GLOBAL ID：200903017867273692

GaN系半導体装置

発明者：
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-215362
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044139
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】GaN系半導体装置の電極部分における接触抵抗の低減を目的とする。【解決手段】GaN系半導体エピタキシャル層と電極金属の間に、中空クラスター構造を有するカーボン結晶層を介在させる。
請求項（抜粋）：
基板上にGaN系半導体エピタキシャル層を有し、該GaN系半導体エピタキシャル層上に電極を有するGaN系半導体装置であって、該GaN系半導体エピタキシャル層と該電極間にカーボン結晶層を有することを特徴とするGaN系半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/283 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/283 C ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/80 F
Fターム (25件)：
4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD35 ,  4M104FF13 ,  5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GS02 ,  5F102GT01 ,  5F102GV00 ,  5F102HC11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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