特許
J-GLOBAL ID：200903017880028958
表面改質装置及び有機物質表面への薄膜形成方法及び薄膜形成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305981
公開番号（公開出願番号）：特開平9-003220
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：
【要約】【課題】 管理や処理プロセスが容易であるとともに、設備的にも安価な装置を用いて、例えば複雑な3次元形状を有するフッ素樹脂製品等に対してもその表面に安定且つ強固に所望の薄膜を堆積形成する。【解決手段】 真空容器1は、排気装置2を通じて所定の真空状態に保たれる。また真空容器1内にはイオン源3が配設され、その発生されるイオンが照射される部位に被改質材料であるフッ素樹脂容器基板4が装着される。イオン源3には最初不活性ガス導入口7から不活性ガスを導入し、そのイオン化された不活性イオンによって基板4の表面を洗浄する。次いで水蒸気導入口9から水蒸気をイオン源3に導入し、そのイオン化された水蒸気イオンを同基板表面に照射して親水性に改質する。その後、加熱機構12を通じて基板表面に付着した水分子を除去し、蒸着器10によって基板表面にアルミニウム等からなる薄膜14を蒸着する。
請求項（抜粋）：
疎水性の表面を有し且つ化学的に安定な有機物質からなる被改質材料の表面を親水性に改質する表面改質装置であって、前記被改質材料が装着される真空容器と、この被改質材料の装着された真空容器内に親水基を含むガス若しくは水蒸気を導入する親水基導入手段と、同真空容器内に配設され、この導入された親水基を含むガス若しくは水蒸気をイオン化するイオン源と、このイオン化された親水基のイオンを前記被改質材料の表面に照射するイオン照射手段と、を具えることを特徴とする表面改質装置。
IPC (8件)：
C08J 7/04
, C08J 7/06
, C23C 14/02
, C23C 14/24
, C23F 4/00
, H01B 11/00
, H01L 21/203
, H05K 3/18
C08J 7/04 T
, C08J 7/06 Z
, C23C 14/02 A
, C23C 14/24 V
, C23F 4/00 C
, H01B 11/00 Z
, H01L 21/203 S
, H05K 3/18 A
