基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：油井透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006690
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217112
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】反応炉において、炉口部からの汚染に影響されない高清浄な反応雰囲気で良質な膜成長を行う。【解決手段】炉口フランジ7とボート載置台19との間に逆拡散防止体8を設けて、基板処理空間20を炉口部空間21から隔離し、炉口部Bで発生する汚染物質が基板処理空間20へ逆拡散しないようにする。基板処理空間20とは独立に炉口部側空間21を排気する炉口排気系を構成する炉口排気管15を炉口フランジ7に設けて、炉口部空間21にパージガスを供給しつつ排気して汚染物質を炉口部側空間21から除去する。炉口フランジ7から導入したガス供給ノズル4を炉口部空間21から基板処理空間20まで延在させ、反応ガスを直接基板処理空間20内に導くようにして、炉口部空間21内の汚染物質を基板処理空間20に巻きこまないようにする。

請求項（抜粋）：

シールキャップで炉口を閉塞され、炉内で基板を処理する炉と、前記炉内のうち、炉口側の炉口部空間と基板処理空間との間に設けられ、前記炉口部空間から前記基板処理空間へ炉口側の汚染物質が逆拡散するのを防止する逆拡散防止体と、前記基板を処理するために前記炉内に反応ガスを導入する反応ガス導入系と、前記導入された反応ガスを前記基板処理空間から排気する処理排気系と、前記炉口部空間を前記基板処理空間とは独立して排気する炉口排気系とを備えた基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/42 , C23C 16/455

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/42 , C23C 16/455

Fターム (29件)：

4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA09 , 4K030BA48 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030JA09 , 4K030KA04 , 4K030KA09 , 4K030LA12 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045BB14 , 5F045CA02 , 5F045DP19 , 5F045EB10 , 5F045EC02 , 5F045EE14 , 5F045EF13 , 5F045EF20 , 5F045EG02 , 5F045EG04 , 5F045EN02

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-102825 出願人：株式会社エフティーエル
熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-088976 出願人：東京エレクトロン東北株式会社
選択成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-080837 出願人：日本真空技術株式会社

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