選択成長方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080837
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277432
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】シリコンもしくはシリコン-ゲルマニウム混晶エピタキシャル成長の選択成長法に関し、ホットウオール炉を用いて、デバイスに適用可能な膜厚まで選択成長を可能とすること。【解決手段】本発明では、反応チャンバー12内で、絶縁膜44が成膜されたシリコン基板17上のシリコン露出面45にシリコン結晶層を成長させる際に、成長温度を600°Cとし、反応チャンバー12内の水分圧力を2×10-8Pa以下とした、低温・低水分圧条件にしている。このような条件下でエピタキシャル成長させることによりCl系ガスの添加なしでも約120nmの選択成長が起こり、引き続きCl系ガスを添加することで約280nmの選択成長が起こる。その結果、反応チャンバー12がいわゆるホットウオールタイプであっても、膜厚約400nmのシリコン結晶層をシリコン露出面45に選択成長させることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶面が全面又は一部で露出したシリコン基板を、室内が加熱可能に構成された反応室内に配置し、前記シリコン単結晶面に、選択的に結晶成長をさせる選択成長方法であって、成長温度を800°C以下とし、前記反応室内の圧力を1Pa以下とする成長条件で、化学構造中にシリコン原子を有するシリコン原料ガスと、化学構造中にハロゲン原子を有するエッチングガスとを前記反応室内に導入して、前記単結晶面に結晶層を成長させることを特徴とする選択成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/302 F

Fターム (28件)：

5F004AA02 , 5F004BB16 , 5F004BB19 , 5F004BC05 , 5F004BC06 , 5F004BD04 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA29 , 5F004DB03 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AE13 , 5F045AF03 , 5F045BB09 , 5F045DB02 , 5F045DP19 , 5F045EB08 , 5F045EB09 , 5F045EN04 , 5F045EN05

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-125919
半導体薄膜の選択成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-250360 出願人：沖電気工業株式会社
特開平2-302027

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