特許
J-GLOBAL ID:200903017896140189

記憶更新装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 下出 隆史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-232456
公開番号(公開出願番号):特開平7-064868
出願日: 1993年08月24日
公開日(公表日): 1995年03月10日
要約:
【要約】【目的】 電気的に記憶内容が書き換え可能な不揮発性記憶素子の記憶データを更新する記憶更新装置において、この素子のデータ書き換え回数を低減する。【構成】 CPU30がデータ読出しを要求している場合、コントロール信号及びアドレス信号をそのままEEPROM40へ出力し、EEPROM40から出力されたデータは双方向バッファ12を介してCPU30へ出力する。CPU30がデータ書込みを要求している場合、第一データラッチ回路14に書込みすべきデータ、第二データラッチ回路16に書込みが要求されているアドレスに記憶されているデータをラッチし、その2つのデータを比較回路18によりビット単位で比較する。この比較結果が不一致であると判断されたときにのみEEPROM40にデータ書込み指示する。なお、好ましくは、不一致のデータのみ書き換える。
請求項(抜粋):
電気的に記憶内容が書き換え可能な不揮発性記憶素子に対して、該不揮発性記憶素子の記憶するデータを更新する記憶更新装置において、データバスを介して、前記不揮発性記憶素子の所定アドレスに記憶すべきデータを受け取ったとき、前記不揮発性記憶素子へのデータの書込に先立って該データを読み込む更新データ読込手段と、前記不揮発性記憶素子の前記所定アドレスに記憶されているデータを読み込む旧データ読込手段と、該旧データ読込手段にて読み込まれたデータと前記更新データ読込手段にて読み込まれたデータとの一致を判断するデータ比較手段と、該データ比較手段により前記更新データと前記旧データとが不一致であると判断されたとき、前記不揮発性記憶素子の前記所定アドレスに対して該不一致のデータのみ書き込みを許可するデータ更新許可手段とを備えることを特徴とする記憶更新装置。
IPC (2件):
G06F 12/16 310 ,  G11C 16/06
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開昭59-135698
  • 特開平1-144297
  • 特開平3-283093
全件表示

前のページに戻る