磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置及び磁気記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松山允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-099360
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299726
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】サブミクロンサイズのCPP-SV素子においても、スケーリング則に反することなく高いMR変化率、MR変化量を得ることができる垂直通電型磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、それを搭載した磁気再生装置及び磁気記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】磁気抵抗効果膜のうちの少なくとも磁化固着層と非磁性中間層の側面に伝導電子に対する鏡面反射効果を有する高抵抗な酸化物、窒化物、フッ化物、ホウ化物、硫化物あるいは炭化物からなる側壁層を設けることにより、磁気抵抗効果膜の側面での電子の非弾性散乱やスピン情報の喪失を防ぐことができる。さらに、センス電流の分流も防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

磁化方向が実質的に一方向に固着された強磁性膜を有する磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する強磁性膜を有する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性中間層と、を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向に電流を通電するために前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、を備え、前記磁気抵抗効果膜の少なくとも前記磁化固着層と前記非磁性中間層の側面に側壁層が設けられ、前記磁化固着層の側面に設けられた前記側壁層は、前記磁化固着層を構成する主要元素を含んだ酸化物、フッ化物、窒化物、炭化物、硫化物、ホウ化物の中から選ばれる少なくとも1種類以上の化合物を主成分とし、前記非磁性中間層の側面に設けられた前記側壁層は、前記非磁性中間層を構成する主要元素を含んだ酸化物、フッ化物、窒化物、炭化物、硫化物、ホウ化物の中から選ばれる少なくとも1種類以上の化合物を主成分とすることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/30 , H01L 27/105

FI (5件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/30 , G01R 33/06 R , H01L 27/10 447

Fターム (29件)：

2G017AA01 , 2G017AB07 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA04 , 5D034BA05 , 5D034BA08 , 5D034BA12 , 5D034BA15 , 5D034BA21 , 5D034CA08 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5E049GC01 , 5F083FZ10 , 5F083GA02 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083GA12 , 5F083GA30 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (1件)

磁気抵抗効果ヘッド、その製造方法、及びそれを用いた磁気記録装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-160728 出願人：日本電気株式会社

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