特許
J-GLOBAL ID:200903017918294290

マイクロ電気機械的装置及びその封緘方法及び製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  戸塚 清貴
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-509406
公開番号(公開出願番号):特表2006-526509
出願日: 2004年03月30日
公開日(公表日): 2006年11月24日
要約:
【課題】 本願には多くの発明が記載されており且つ例示されている。1つの特徴では、本発明は、最終パッケージ前に機械構造がチャンバ内に封緘されたMEMS装置及びその製造技術に関する。【解決手段】 付着させたときに機械構造を封緘する材料は、一体化に列挙する特性のうちの1つ又はそれ以上を備えている。即ち、引張応力が低く、ステップカバレッジが良好であり、続くプロセスが加えられたときにその一体性を維持し、チャンバ内の機械構造の性能特性に大きな影響及び/又は悪影響を及ぼさず(付着中に材料でコーティングされていない場合)、及び/又は高性能集積回路との一体性を容易にする。一実施例では、機械構造を封緘する材料は、例えば、シリコン(ドーピングされた又はドーピングがなされていない多晶質、非晶質、又は多孔質)、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素である。
請求項(抜粋):
チャンバ内に収容され基板上に配置された機械構造を備えた電気機械的装置の前記チャンバをシールする方法において、 犠牲層を前記機械構造の少なくとも一部の上に付着する工程と、 第1封緘層を前記犠牲層の上に付着する工程と、 前記第1封緘層を貫通する少なくとも1つの開孔を形成し、前記犠牲層の少なくとも一部を除去可能とする工程と、 前記犠牲層の少なくとも一部を除去し、チャンバを形成する工程と、 半導体材料からなる第2封緘層を前記開孔上又は前記開孔内に付着し、前記チャンバをシールする工程と を含む方法。
IPC (1件):
B81C 3/00
FI (1件):
B81C3/00
引用特許:
出願人引用 (15件)
  • 米国特許第6,307,815号
  • 米国特許第6,146,917号
  • 米国特許第6,352,935号
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審査官引用 (7件)
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