特許
J-GLOBAL ID:200903017933363320
光電変換膜積層型固体撮像素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-279021
公開番号(公開出願番号):特開2006-093521
出願日: 2004年09月27日
公開日(公表日): 2006年04月06日
要約:
【課題】半導体ナノ粒子により構成される光電変換膜の利点を有しながら、クロストークやキャリアの輸送効率低下による光電変換効率の低下を抑制することが可能な光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。【解決手段】光電変換膜積層型固体撮像素子は、前記半導体基板上方に積層された3つの赤色検出用の光電変換膜13と、青色検出用の光電変換膜18と、緑色検出用の光電変換膜23とを備え、赤色検出用の光電変換膜13は有機材料により構成されたものであり、光電変換膜13以外の光電変換膜は、表面をキャリアのトンネル伝導が可能な厚さの絶縁膜で覆われた半導体ナノ粒子により構成されたものである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板上方に積層される光電変換膜と、前記半導体基板に形成される信号読出回路とを有し、前記光電変換膜に蓄積される信号電荷に応じた信号を前記信号読出回路によって外部に読み出す光電変換膜積層型固体撮像素子であって、
前記光電変換膜は前記半導体基板上方に少なくとも3つ積層され、
前記少なくとも3つの光電変換膜は、有機材料により構成される赤色検出用光電変換膜を含み、
前記赤色検出用光電変換膜以外の光電変換膜は、キャリアのトンネル伝導が可能な厚さの絶縁膜で表面を覆われた半導体ナノ粒子により構成される光電変換膜積層型固体撮像素子。
IPC (3件):
H01L 27/146
, H01L 31/10
, H01L 51/05
FI (3件):
H01L27/14 E
, H01L31/10 D
, H01L29/28
Fターム (25件):
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118CA09
, 4M118CA13
, 4M118CA22
, 4M118CA27
, 4M118CB05
, 4M118CB13
, 4M118CB14
, 4M118CB20
, 4M118DD03
, 4M118DD04
, 4M118GC11
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5F049MB04
, 5F049MB08
, 5F049NA01
, 5F049NB05
, 5F049QA07
, 5F049SE02
, 5F049WA03
, 5F049WA09
引用特許:
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