特許

J-GLOBAL ID：200903013784267105

光電変換膜とその作製方法

発明者： 平野 喜之 ,  佐藤 史郎 ,  斎藤 信雄 ,  廣瀬 全孝 ,  宮▲崎▼誠一
出願人/特許権者： 日本放送協会
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178413
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007381
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 非晶質材料からなる利点と結晶材料からなる利点とを併せ備えた特徴を有する光電変換膜を提供する。【解決手段】 薄い絶縁膜付きのシリコンナノ結晶を集積化したナノシリコン層(i層)を含み、例えばこの層をp層(p型a-SiCz :O)と正孔阻止層(n型a-SiCz :O)およびn層(n+ 型のc-Siまたはn型のa-Si:H)とで挟む構成とする。

請求項（抜粋）：

光電変換膜において、当該変換膜が、表面をキャリアのトンネル伝導が可能な厚さの絶縁膜で覆われた、直径数ナノメートルのシリコン結晶粒であるシリコンナノ結晶を集積化したナノシリコン層を含むことを特徴とする光電変換膜。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 C

Fターム (25件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA05 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  5F049MA02 ,  5F049MA07 ,  5F049MB05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA04 ,  5F049PA05 ,  5F049PA14 ,  5F049QA01 ,  5F049QA07 ,  5F049QA11 ,  5F049SS03 ,  5F049WA03 ,  5F049WA09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• アバランシェダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-127556   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 光検出素子及び撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-135063   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 特開平4-112584
  
• 受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-147722   出願人：松下電器産業株式会社