回路内蔵型受光素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-374824
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200894
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】接合容量の低減と直列抵抗の低減とを同時に実現し、且つ十分に高速な応答速度を有するフォトダイオード部を有する回路内蔵型受光素子を提供する。【解決手段】半導体基板の該表面から遠ざかる方向に向けて不純物濃度が次第に減少する第1の部分と、該第1の部分の上方における第1の領域に位置する、深さ方向に均一な不純物濃度分布を有する第2の部分と、を含む第1半導体結晶成長層と、該第1半導体結晶成長層の該第1の部分の上方であって、該第1の領域を除いた第2の領域に位置する、第1導電型の埋め込み拡散層と、該第1半導体結晶成長層及び該埋め込み拡散層の表面に形成された、第2導電型の第2半導体結晶成長層と、該第2半導体結晶成長層を受光素子形成部に相当する領域と信号処理回路形成部に相当する領域とに分離するように形成された、第1導電型の分離拡散領域と、を備える。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の表面の上に形成された第1導電型の第1半導体結晶成長層であって、該半導体基板の該表面から遠ざかる方向に向けて不純物濃度が次第に減少する第1の部分と、該第1の部分の上方における第1の領域に位置する、深さ方向に均一な不純物濃度分布を有する第2の部分と、を含む第1半導体結晶成長層と、該第1半導体結晶成長層の該第1の部分の上方であって、該第1の領域を除いた第2の領域に位置する、第1導電型の埋め込み拡散層と、該第1半導体結晶成長層及び該埋め込み拡散層の表面に形成された、第2導電型の第2半導体結晶成長層と、該第2半導体結晶成長層を受光素子形成部に相当する領域と信号処理回路形成部に相当する領域とに分離するように形成された、第1導電型の分離拡散領域と、を備え、該第1の領域は、該受光素子形成部に位置しており、該信号処理回路形成部では、該埋め込み拡散層が、該第1半導体結晶成長層の該第1の部分に接している、回路内蔵型受光素子。

IPC (2件)：

H01L 27/14 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 Z , H01L 31/10 A

Fターム (16件)：

4M118AA10 , 4M118AB10 , 4M118BA02 , 4M118CA03 , 4M118CA18 , 4M118CA19 , 4M118FC09 , 5F049MA02 , 5F049MB12 , 5F049NA03 , 5F049NB08 , 5F049PA10 , 5F049RA06 , 5F049SE05 , 5F049SS02 , 5F049SZ13

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-271172
特開平4-271172
分割フォトダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-010799 出願人：シャープ株式会社

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