特許
J-GLOBAL ID：200903073716751433
分割フォトダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-010799
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270744
出願日： 1998年01月22日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 分割フォトダイオードの応答速度を、さらに確実に改善する。【解決手段】 分割ダイオードが、半導体基板と、該半導体基板の上に形成された半導体層と、該半導体層の該半導体基板とは反対側の表面から該半導体基板の表面下に達するように複数箇所に形成され、該半導体層を少なくとも3つ以上の第2導電型の半導体領域に分割する、少なくとも1層からなる複数の分離拡散領域と、を備える。該分離拡散領域のうちで、分割部を介して隣接する複数の半導体領域の組合せの該分割部にある特定の分離拡散領域を除いた他の分離拡散領域の下側に、第1の埋め込み拡散領域がさらに設けられていて、印加される逆バイアスによって該他の分離拡散領域の下部の該半導体基板の空乏層化が抑制されている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の上に形成された第2導電型の半導体層と、該半導体層の該半導体基板とは反対側の表面から該半導体基板の表面下に達するように複数箇所に形成され、該半導体層を少なくとも3つ以上の第2導電型の半導体領域に分割する、少なくとも1層からなる複数の第1導電型の分離拡散領域と、を備える分割ダイオードであって、該分離拡散領域にて分割された該少なくとも3つ以上の半導体領域のうちで、分割部を介して隣接する複数の半導体領域の組合せに対しては、該分割部の近傍に光が照射され、また、該複数の半導体領域の組合せ以外の他の半導体領域に対しては、そのほぼ中央部に光が照射され、該分離拡散領域のうちで、該複数の半導体領域の組合せの該分割部にある特定の分離拡散領域を除いた他の分離拡散領域の下側に、第1導電型の第1の埋め込み拡散領域がさらに設けられていて、印加される逆バイアスによって該他の分離拡散領域の下部の該半導体基板の空乏層化が抑制されている、分割フォトダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 21/76 J
