特許

J-GLOBAL ID：200903017957643553

液晶表示装置

発明者： 大関 茂樹 ,  石田 有親 ,  瀬戸 俊祐 ,  川久 慶人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056087
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255915
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】コントラスト比を招かないコプラナ型TFTをスイッチング素子として用いた液晶表示装置を提供すること。【構成】チャネル幅方向側の活性層2の側面と透光性絶縁基板1とのなす角度θを45度以下にすることにより、良質なゲート絶縁膜3を形成でき、コントラスト比の低下の原因となるゲートリーク電流を抑制できる。

請求項（抜粋）：

マトリクス配列された画素電極と、これら画素電極の電位により液晶の配向が制御される液晶層と、前記画素電極にソースが接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲートに接続されたゲート線と、前記薄膜トランジスタのドレインに接続されたデータ線とを具備してなり、前記薄膜トランジスタは、表面が絶縁性の基板上に形成された半導体材料の活性層上にCVD法により成膜されたゲート絶縁膜を介してゲート電極が配設されてなり、かつ前記表面が絶縁性の基板とチャネル幅方向側の前記活性層の側面とのなす角度が45度以下であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 29/78 617 V ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 617 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-014889   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-116846
  
• 薄膜トランジスタおよびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-340338   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所